-
Koszyk jest pusty
-
x
Do bezpłatnej dostawy brakuje
-,--
Darmowa dostawa!
Suma Netto
0,00 zł
Suma Brutto
0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
0
twój koszyk
0,00 zł
-
Koszyk jest pusty
-
x
Do bezpłatnej dostawy brakuje
-,--
Darmowa dostawa!
Suma Netto
0,00 zł
Suma Brutto
0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
-
Dysk SSD Samsung MZ-QL23T800 3,84TB 2,5" NVMe U.2 PCIe 4.0 x4 (6900/4100 MB/s)
Symbol:
MZQL23T8HCLS-00W07
| Wpisz swój e-mail |
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 48 godzin |
| Cena przesyłki | 0 |
| Dostępność |
Brak towaru
|
| Waga | 0.15 kg |
| Kod kreskowy | |
| EAN | 8806094267143 |
| Zostaw telefon |
Pojemność dysku: 3,84 TB
Format dysku: 2,5" U.2
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: PCIe 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 6900 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4100 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 7008.0
Odczyt losowy: 1000000 IOPS
Zapis losowy: 180000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Informacje dodatkowe: Wymiary: 100,2 x 69,85 x 7 mm, Temperatura pracy: 0-70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G
Format dysku: 2,5" U.2
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: PCIe 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 6900 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4100 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 7008.0
Odczyt losowy: 1000000 IOPS
Zapis losowy: 180000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Informacje dodatkowe: Wymiary: 100,2 x 69,85 x 7 mm, Temperatura pracy: 0-70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G
Pojemność dysku:
3,84 TB
Interfejs:
PCIe 4.0 x4 NVMe
Format dysku:
2,5" U.2
Typ dysku:
SSD
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
2000000 h
Prędkość odczytu (max):
6900 MB/s
Prędkość zapisu (max):
4100 MB/s
Technika zapisywania danych:
TLC
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
1000000 IOPS
Zapis losowy:
180000 IOPS
Typ kości pamięci:
V-NAND
TBW (ang. Total Bytes Written):
7008.0
Dane producenta
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Osoba odpowiedzialna
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.