• Dysk SSD Samsung 990 1TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe (7150/6450 MB/s)

Symbol: MZ-V9V1T0BW
932.00
932.00
szt. Do przechowalni
Opinie
Wysyłka w ciągu 48 godzin
Cena przesyłki 15
Odbiór osobisty 0
Poczta Polska 15
Paczkomaty InPost 16
Poczta Polska (Pobranie) 20
Kurier 20
Kurier (Pobranie) 25
Dostępność Mało
Waga 0.15 kg
EAN 8806099020699

Zamówienie tel.: 123858050, 603577613

Zostaw telefon
Rodzina dysków: 990

Pojemność dysku: 1 TB

Format dysku: M.2 2280

Typ dysku: SSD

Typ kości pamięci: V-NAND

Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak

Wsparcie dla technologii TRIM: Tak

Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe

Typ złącza: M.2 (NGFF)

Prędkość odczytu (max): 7150 MB/s

Prędkość zapisu (max): 6450 MB/s

TBW (ang. Total Bytes Written): 400.0

Odczyt losowy: 700000 IOPS

Zapis losowy: 1100000 IOPS

Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h

Informacje dodatkowe: Samsung V-NAND, Wymiary: 80 x 22 x 2,38 mm, Waga: Maks. 9 g, PCIe® 4.0 x4, NVMe™ 2.0, Samsung in-house Controller, Cache Memory: HMB(Host Memory Buffer), Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy), AES 256-bit Full Disk Encryption, TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667)

Gwarancja producenta [mies.]: 36
Pojemność dysku:
1 TB
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Rodzina dysków:
990
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Prędkość odczytu (max):
7150 MB/s
Prędkość zapisu (max):
6450 MB/s
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
700000 IOPS
Zapis losowy:
1100000 IOPS
Typ kości pamięci:
V-NAND
TBW (ang. Total Bytes Written):
400.0
Gwarancja producenta [mies.]:
36

Dane producenta

SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland

www.samsung.com/support

Osoba odpowiedzialna

SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland

www.samsung.com/support

Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.