Dysk SSD Samsung 870 EVO 1TB 2,5" SATA3 (560/530) V-NAND 3bit TLC
Symbol:
MZ-77E1T0B/EU
Program lojalnościowy dostępny jest tylko dla zalogowanych klientów.
Opinie | |
Wysyłka w ciągu | 48 godzin |
Cena przesyłki | 15 |
Dostępność | Średnia dostępność 38 szt. |
Waga | 0.15 kg |
Kod kreskowy | |
EAN | 8806090545917 |
Zamówienie tel.: 123858050, 603577613
Zostaw telefon
Cechy: 1TB,560/530 MB/s
Format dysku: 2,5 cala
Informacje dodatkowe: Storage memory: Samsung V-NAND 3bit MLC Obsługa TRIM, S.M.A.R.T, WWN, Device Sleep Mode Power consumption: max 30mW Wymiary: 100 x 69,85 x 6,8 mm Waga: 45 g Pamieć podręczna: Samsung 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Dopuszczalne napięcie: 5V ± 5% Temperatura pracy: 0 - 70 ? Odporność na wstrząsy: 1,500 G / 0,5 ms (fala półsinusoidalna)
Interfejs: SATA
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Opis ogólny: Dysk SSD Samsung 870 EVO 1TB 2,5" SATA3 (560/530) V-NAND 3bit MLC
Pojemność dysku: 1 TB
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Technika zapisywania danych: TLC
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: tak
Wsparcie dla technologii TRIM: tak
Format dysku: 2,5 cala
Informacje dodatkowe: Storage memory: Samsung V-NAND 3bit MLC Obsługa TRIM, S.M.A.R.T, WWN, Device Sleep Mode Power consumption: max 30mW Wymiary: 100 x 69,85 x 6,8 mm Waga: 45 g Pamieć podręczna: Samsung 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Dopuszczalne napięcie: 5V ± 5% Temperatura pracy: 0 - 70 ? Odporność na wstrząsy: 1,500 G / 0,5 ms (fala półsinusoidalna)
Interfejs: SATA
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Opis ogólny: Dysk SSD Samsung 870 EVO 1TB 2,5" SATA3 (560/530) V-NAND 3bit MLC
Pojemność dysku: 1 TB
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Technika zapisywania danych: TLC
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: tak
Wsparcie dla technologii TRIM: tak
Pojemność dysku | 1 TB |
Kolor obudowy | Czarny (Black) |
Interfejs | SATA |
Format dysku | 2,5 cala |
Typ dysku | SSD |
Prędkość odczytu (max) | 560 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 530 MB/s |
Technika zapisywania danych | TLC |
Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. | Tak |
Odczyt losowy | 98000 IOPS |
Zapis losowy | 88000 IOPS |
Typ kości pamięci | V-NAND |
TBW (ang. Total Bytes Written) | 600.0 |