Dysk SSD Samsung 870 EVO 1TB 2,5" SATA3 (560/530) V-NAND 3bit TLC
Symbol:
MZ-77E1T0B/EU
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 48 godzin |
| Cena przesyłki | 15,00 zł Brutto |
| Dostępność |
Średnia dostępność
|
| Waga | 0.15 kg |
| Kod kreskowy | |
| EAN | 8806090545917 |
Zamówienie tel.: 123858050, 603577613
Zostaw telefon
Cechy: 1TB,560/530 MB/s
Format dysku: 2,5 cala
Informacje dodatkowe: Storage memory: Samsung V-NAND 3bit MLC Obsługa TRIM, S.M.A.R.T, WWN, Device Sleep Mode Power consumption: max 30mW Wymiary: 100 x 69,85 x 6,8 mm Waga: 45 g Pamieć podręczna: Samsung 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Dopuszczalne napięcie: 5V ± 5% Temperatura pracy: 0 - 70 ? Odporność na wstrząsy: 1,500 G / 0,5 ms (fala półsinusoidalna)
Interfejs: SATA
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Opis ogólny: Dysk SSD Samsung 870 EVO 1TB 2,5" SATA3 (560/530) V-NAND 3bit MLC
Pojemność dysku: 1 TB
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Technika zapisywania danych: TLC
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: tak
Wsparcie dla technologii TRIM: tak
Format dysku: 2,5 cala
Informacje dodatkowe: Storage memory: Samsung V-NAND 3bit MLC Obsługa TRIM, S.M.A.R.T, WWN, Device Sleep Mode Power consumption: max 30mW Wymiary: 100 x 69,85 x 6,8 mm Waga: 45 g Pamieć podręczna: Samsung 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Dopuszczalne napięcie: 5V ± 5% Temperatura pracy: 0 - 70 ? Odporność na wstrząsy: 1,500 G / 0,5 ms (fala półsinusoidalna)
Interfejs: SATA
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Opis ogólny: Dysk SSD Samsung 870 EVO 1TB 2,5" SATA3 (560/530) V-NAND 3bit MLC
Pojemność dysku: 1 TB
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Technika zapisywania danych: TLC
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: tak
Wsparcie dla technologii TRIM: tak
Pojemność dysku:
1 TB
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Interfejs:
SATA
Format dysku:
2,5 cala
Typ dysku:
SSD
Prędkość odczytu (max):
560 MB/s
Prędkość zapisu (max):
530 MB/s
Technika zapisywania danych:
MLC
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
98000 IOPS
Zapis losowy:
88000 IOPS
Typ kości pamięci:
V-NAND
TBW (ang. Total Bytes Written):
600.0
Dane producenta
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Sklep internetowy na oprogramowaniu Sky-Shop.pl
