• Dysk SSD HIKSEMI FUTURE eco 512GB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (5000/2500 MB/s) 3D TLC

Symbol: HS-SSD-FUTURE Eco(STD)/512G/PCIE4/WW
351.00
351.00
szt. Do przechowalni
Opinie
Wysyłka w ciągu 48 godzin
Cena przesyłki 15
Odbiór osobisty 0
Poczta Polska 15
Paczkomaty InPost 16
Poczta Polska (Pobranie) 20
Kurier 20
Kurier (Pobranie) 25
Dostępność Średnia dostępność
Waga 0.15 kg
EAN 6974202725280

Zamówienie tel.: 123858050, 603577613

Zostaw telefon
Pojemność dysku: 512 GB

Format dysku: M.2 2280

Typ dysku: SSD

Typ kości pamięci: 3D NAND

Technika zapisywania danych: TLC

Wsparcie dla technologii TRIM: Tak

Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe

Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s

Prędkość zapisu (max): 2500 MB/s

TBW (ang. Total Bytes Written): 900.0

Odczyt losowy: 430000 IOPS

Zapis losowy: 530000 IOPS

Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h

Kolor obudowy: Czarny (Black)

Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 1.1 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - 185°F)

Gwarancja producenta [mies.]: 60
Pojemność dysku:
512 GB
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
2000000 h
Prędkość odczytu (max):
5000 MB/s
Prędkość zapisu (max):
2500 MB/s
Technika zapisywania danych:
TLC
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Odczyt losowy:
430000 IOPS
Zapis losowy:
530000 IOPS
Typ kości pamięci:
3D NAND
TBW (ang. Total Bytes Written):
900.0
Gwarancja producenta [mies.]:
60

Dane producenta

Hangzhou Hikstorage Technology Co., Ltd
Building 2, 399 Danfeng Road, Binjiang District
310000 Hangzhou
China

salessupport@hiksemitech.com

Osoba odpowiedzialna

INCOM GROUP S.A.
MOKRONOSKA 6
52-407 WROCŁAW
Poland

+48713588000
info@incomgroup.pl

Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.