-
Koszyk jest pustyRealizuj zamówienieSuma 0
-
Koszyk jest pustyRealizuj zamówienieSuma 0
Dysk SSD Samsung 990 PRO Heatsink 1TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe (7450/6900 MB/s)
Symbol:
MZ-V9P1T0CW
Program lojalnościowy dostępny jest tylko dla zalogowanych klientów.
| Wpisz swój e-mail |
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 48 godzin |
| Cena przesyłki | 15 |
| Dostępność |
Brak towaru
|
| Waga | 0.15 kg |
| Kod kreskowy | |
| EAN |
Zostaw telefon
Rodzina dysków: 990 PRO
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 7450 MB/s
Prędkość zapisu (max): 6900 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 1200000 IOPS
Zapis losowy: 1550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Samsung V-NAND 3-bit MLC, Wymiary: 80 x 24,3 x 8,2 mm (z radiatorem), Waga: Maks. 28,0 g, PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0, Napięcie: 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0 - 70 ?, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 7450 MB/s
Prędkość zapisu (max): 6900 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 1200000 IOPS
Zapis losowy: 1550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Samsung V-NAND 3-bit MLC, Wymiary: 80 x 24,3 x 8,2 mm (z radiatorem), Waga: Maks. 28,0 g, PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0, Napięcie: 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0 - 70 ?, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)
| Pojemność dysku | 1 TB |
| Interfejs | M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe |
| Rodzina dysków | 990 PRO |
| Format dysku | M.2 2280 |
| Typ dysku | SSD |
| Typ złącza | M.2 (NGFF) |
| Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 1500000 h |
| Prędkość odczytu (max) | 7450 MB/s |
| Prędkość zapisu (max) | 6900 MB/s |
| Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
| Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. | Tak |
| Odczyt losowy | 1200000 IOPS |
| Zapis losowy | 1550000 IOPS |
| Typ kości pamięci | V-NAND |
| TBW (ang. Total Bytes Written) | 600.0 |
Sklep internetowy na oprogramowaniu Sky-Shop.pl
