![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 125w)
Dysk SSD Samsung 990 PRO Heatsink 1TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe (7450/6900 MB/s)
Symbol:
MZ-V9P1T0CW
| Wpisz swój e-mail |
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 48 godzin |
| Cena przesyłki | 15 |
| Dostępność |
Brak towaru
|
| Waga | 0.15 kg |
| Kod kreskowy | |
| EAN |
Zostaw telefon
Rodzina dysków: 990 PRO
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 7450 MB/s
Prędkość zapisu (max): 6900 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 1200000 IOPS
Zapis losowy: 1550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Samsung V-NAND 3-bit MLC, Wymiary: 80 x 24,3 x 8,2 mm (z radiatorem), Waga: Maks. 28,0 g, PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0, Napięcie: 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0 - 70 ?, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 7450 MB/s
Prędkość zapisu (max): 6900 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 1200000 IOPS
Zapis losowy: 1550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Samsung V-NAND 3-bit MLC, Wymiary: 80 x 24,3 x 8,2 mm (z radiatorem), Waga: Maks. 28,0 g, PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0, Napięcie: 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0 - 70 ?, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)
Pojemność dysku:
1 TB
Gwarancja producenta:
60
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Rodzina dysków:
990 PRO
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Prędkość odczytu (max):
7450 MB/s
Prędkość zapisu (max):
6900 MB/s
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
1200000 IOPS
Zapis losowy:
1550000 IOPS
Typ kości pamięci:
V-NAND
TBW (ang. Total Bytes Written):
600.0
Sklep internetowy na oprogramowaniu Sky-Shop.pl
