Dysk SSD MSI SPATIUM M480 Pro 4TB PCIe 4.0 NVMe M.2 2280 (7400/7000 MB/s) 3D NAND
Symbol:
S78-440R050-P83
Wpisz swój e-mail |
Opinie | |
Wysyłka w ciągu | 48 godzin |
Cena przesyłki | 15 |
Dostępność | Brak towaru 0 szt. |
Waga | 0.15 kg |
Kod kreskowy | |
EAN | 4711377105620 |
Zostaw telefon
Rodzina dysków: SPATIUM
Pojemność dysku: 4 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 7400 MB/s
Prędkość zapisu (max): 7000 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 3000.0
Odczyt losowy: 1000000 IOPS
Zapis losowy: 1000000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1600000 h
Informacje dodatkowe: Kontroler: PHISON E18, Wymiary: 80 x 22 x 2,15, LDPC, End to End Data Path Protection, APST (Autonomous Power State Transition), AES256/Pyrite (Encryption, Data Security), Temperatura pracy: 0°C ~ 70°C, Temperatura przechowywania: -40°C ~ 85°C
Pojemność dysku: 4 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 7400 MB/s
Prędkość zapisu (max): 7000 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 3000.0
Odczyt losowy: 1000000 IOPS
Zapis losowy: 1000000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1600000 h
Informacje dodatkowe: Kontroler: PHISON E18, Wymiary: 80 x 22 x 2,15, LDPC, End to End Data Path Protection, APST (Autonomous Power State Transition), AES256/Pyrite (Encryption, Data Security), Temperatura pracy: 0°C ~ 70°C, Temperatura przechowywania: -40°C ~ 85°C
Pojemność dysku:
4 TB
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Rodzina dysków:
SPATIUM
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1600000 h
Prędkość odczytu (max):
7400 MB/s
Prędkość zapisu (max):
7000 MB/s
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
1000000 IOPS
Zapis losowy:
1000000 IOPS
Typ kości pamięci:
3D NAND
TBW (ang. Total Bytes Written):
3000.0