Dysk SSD Gigabyte Gen3 2500E 1TB M.2 2280 NVMe PCIe 3.0 x4 (2400/1800 MB/s) 3D NAND
Symbol:
G325E1TB
Program lojalnościowy dostępny jest tylko dla zalogowanych klientów.
Opinie | |
Wysyłka w ciągu | 48 godzin |
Cena przesyłki | 15 |
Dostępność | Mało 10 szt. |
Waga | 0.15 kg |
Kod kreskowy | |
EAN | 4719331844387 |
Zamówienie tel.: 123858050, 603577613
Zostaw telefon
Baza SCIP: Nie
Cechy: 1TB,2400/1800 MB/s
Format dysku: M.2 2280
Informacje dodatkowe: NVMe 1.3 NAND: 3D NAND Flash Dimension: 80 x 22 x 2,3 mm Power Consumption (Active): Average : R : 2,67W / W : 3,20W Power Consumption(Idle)(ASPT on): 30mW Temperature (Operating): 0°C to 70°C Temperature (Storage): -40°C to 85°C
Interfejs: PCIe NVMe 3.0 x4
Opis ogólny: SSD Gigabyte Gen3 2500E 1TB M.2 2280 NVMe PCIe 3.0 x4 (2400/1800 MB/s) 3D
Pojemność dysku: 1 TB
Rodzina dysków: Gen3 2500E
TBW (ang. Total Bytes Written): 240.0
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: tak
Wsparcie dla technologii TRIM: tak
Cechy: 1TB,2400/1800 MB/s
Format dysku: M.2 2280
Informacje dodatkowe: NVMe 1.3 NAND: 3D NAND Flash Dimension: 80 x 22 x 2,3 mm Power Consumption (Active): Average : R : 2,67W / W : 3,20W Power Consumption(Idle)(ASPT on): 30mW Temperature (Operating): 0°C to 70°C Temperature (Storage): -40°C to 85°C
Interfejs: PCIe NVMe 3.0 x4
Opis ogólny: SSD Gigabyte Gen3 2500E 1TB M.2 2280 NVMe PCIe 3.0 x4 (2400/1800 MB/s) 3D
Pojemność dysku: 1 TB
Rodzina dysków: Gen3 2500E
TBW (ang. Total Bytes Written): 240.0
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: tak
Wsparcie dla technologii TRIM: tak
Pojemność dysku | 1 TB |
Interfejs | PCIe NVMe 3.0 x4 |
Rodzina dysków | Gen3 2500E |
Format dysku | M.2 2280 |
Typ dysku | SSD |
Typ złącza | M.2 (NGFF) |
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 1500000 h |
Prędkość odczytu (max) | 2400 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 1800 MB/s |
Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. | Tak |
Odczyt losowy | 130000 IOPS |
Zapis losowy | 350000 IOPS |
Typ kości pamięci | 3D NAND |
TBW (ang. Total Bytes Written) | 240.0 |