Dysk SSD Gigabyte AORUS Gen4 5000E 500GB M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 (5000/3800 MB/s) 3D TLC
Symbol:
AG450E500G-G
Program lojalnościowy dostępny jest tylko dla zalogowanych klientów.
Opinie | |
Wysyłka w ciągu | 48 godzin |
Cena przesyłki | 15 |
Dostępność | Mało 10 szt. |
Waga | 0.15 kg |
Kod kreskowy | |
EAN | 4719331849627 |
Zamówienie tel.: 123858050, 603577613
Zostaw telefon
Baza SCIP: Nie
Cechy: 500GB,5000/3800 MB/s
Format dysku: M.2 2280
Informacje dodatkowe: NVMe 1.4 NAND: 3D TLC NAND Flash Dimension: 80 x 22 x 2,3 mm Power Consumption (Active): Average : R : 4,0W / W : 4,0W Power Consumption(Idle)(ASPT on): 20mW Temperature (Operating): 0°C to 70°C Temperature (Storage): -40°C to 85°C
Interfejs: PCIe NVMe 4.0 x4
Opis ogólny: SSD Gigabyte AORUS Gen4 5000E 500GB M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 5000/3800MB/s
Pojemność dysku: 500 GB
Rodzina dysków: Gen4 5000E
TBW (ang. Total Bytes Written): 300.0
Technika zapisywania danych: TLC
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: tak
Wsparcie dla technologii TRIM: tak
Cechy: 500GB,5000/3800 MB/s
Format dysku: M.2 2280
Informacje dodatkowe: NVMe 1.4 NAND: 3D TLC NAND Flash Dimension: 80 x 22 x 2,3 mm Power Consumption (Active): Average : R : 4,0W / W : 4,0W Power Consumption(Idle)(ASPT on): 20mW Temperature (Operating): 0°C to 70°C Temperature (Storage): -40°C to 85°C
Interfejs: PCIe NVMe 4.0 x4
Opis ogólny: SSD Gigabyte AORUS Gen4 5000E 500GB M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 5000/3800MB/s
Pojemność dysku: 500 GB
Rodzina dysków: Gen4 5000E
TBW (ang. Total Bytes Written): 300.0
Technika zapisywania danych: TLC
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: tak
Wsparcie dla technologii TRIM: tak
Pojemność dysku | 500 GB |
Interfejs | PCIe NVMe 4.0 x4 |
Rodzina dysków | Gen4 5000E |
Format dysku | M.2 2280 |
Typ dysku | SSD |
Typ złącza | M.2 (NGFF) |
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 1500000 h |
Prędkość odczytu (max) | 5000 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 3800 MB/s |
Technika zapisywania danych | TLC |
Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. | Tak |
Typ kości pamięci | 3D NAND |
TBW (ang. Total Bytes Written) | 300.0 |