Dysk SSD Samsung 990 PRO 2TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe (7450/6900 MB/s)
Symbol:
MZ-V9P2T0BW
Program lojalnościowy dostępny jest tylko dla zalogowanych klientów.
Wpisz swój e-mail |
Opinie | |
Wysyłka w ciągu | 48 godzin |
Cena przesyłki | 15 |
Dostępność | Brak towaru 0 szt. |
Waga | 0.15 kg |
Kod kreskowy | |
EAN | 8806094215038 |
Zostaw telefon
Baza SCIP: Nie
Cechy: 2TB,7450/6900 MB/s
Format dysku: M.2 2280
Informacje dodatkowe: Samsung V-NAND 3-bit MLC Wymiary: 80 x 22 x 2.3 mm Waga: Maks. 9 g PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 Napięcie: 3,3 V ± 5 % Temperatura pracy:0 - 70 Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Opis ogólny: Dysk SSD Samsung 990 PRO 2TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe (7450/6900 MB/s)
Pojemność dysku: 2 TB
Rodzina dysków: 990 PRO
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: tak
Wsparcie dla technologii TRIM: tak
Cechy: 2TB,7450/6900 MB/s
Format dysku: M.2 2280
Informacje dodatkowe: Samsung V-NAND 3-bit MLC Wymiary: 80 x 22 x 2.3 mm Waga: Maks. 9 g PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 Napięcie: 3,3 V ± 5 % Temperatura pracy:0 - 70 Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Opis ogólny: Dysk SSD Samsung 990 PRO 2TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe (7450/6900 MB/s)
Pojemność dysku: 2 TB
Rodzina dysków: 990 PRO
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: tak
Wsparcie dla technologii TRIM: tak
Pojemność dysku | 2 TB |
Interfejs | M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe |
Rodzina dysków | 990 PRO |
Format dysku | M.2 2280 |
Typ dysku | SSD |
Typ złącza | M.2 (NGFF) |
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 1500000 h |
Prędkość odczytu (max) | 7450 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 6900 MB/s |
Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. | Tak |
Odczyt losowy | 1200000 IOPS |
Zapis losowy | 1550000 IOPS |
Typ kości pamięci | V-NAND |
TBW (ang. Total Bytes Written) | 600.0 |