Dysk SSD HIKSEMI FUTUREX 512GB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (7050/4200 MB/s) 3D TLC HS
Symbol:
HS-SSD-FUTUREX(STD)/512G/PCIE4/WW
| Wpisz swój e-mail |
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 48 godzin |
| Cena przesyłki | 15,00 zł Brutto |
| Dostępność |
Brak towaru
|
| Waga | 0.15 kg |
| Kod kreskowy | |
| EAN | 6974202728618 |
Zostaw telefon
Pojemność dysku: 512 GB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 7050 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4200 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 900.0
Odczyt losowy: 710000 IOPS
Zapis losowy: 640000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 3.66 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Wersja z radiatorem, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
Gwarancja producenta: 60
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 7050 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4200 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 900.0
Odczyt losowy: 710000 IOPS
Zapis losowy: 640000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 3.66 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Wersja z radiatorem, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
Gwarancja producenta: 60
Pojemność dysku:
512 GB
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Gwarancja producenta:
60
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
2000000 h
Prędkość odczytu (max):
7050 MB/s
Prędkość zapisu (max):
4200 MB/s
Technika zapisywania danych:
TLC
Odczyt losowy:
710000 IOPS
Zapis losowy:
640000 IOPS
Typ kości pamięci:
3D NAND
TBW (ang. Total Bytes Written):
900.0
Dane producenta
Hangzhou Hikstorage Technology Co., Ltd
Building 2, 399 Danfeng Road, Binjiang District
310000 Hangzhou
China
salessupport@hiksemitech.com
Sklep internetowy na oprogramowaniu Sky-Shop.pl
