Dysk SSD HIKSEMI FUTURES 2TB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2230 (7400/6500 MB/s) 3D TLC
Symbol:
HS-SSD-FUTURES(STD)/2048G/PCIE4/WW
Opinie | |
Wysyłka w ciągu | 48 godzin |
Cena przesyłki | 15 |
Dostępność | Mało 1 szt. |
Waga | 0.15 kg |
Kod kreskowy | |
EAN | 6976695090210 |
Zamówienie tel.: 123858050, 603577613
Zostaw telefon
Pojemność dysku: 2 TB
Format dysku: M.2 2230
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 7400 MB/s
Prędkość zapisu (max): 6500 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 3600.0
Odczyt losowy: 1035000 IOPS
Zapis losowy: 1100000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 4,2 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - 185°F)
Gwarancja producenta: 60
Format dysku: M.2 2230
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 7400 MB/s
Prędkość zapisu (max): 6500 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 3600.0
Odczyt losowy: 1035000 IOPS
Zapis losowy: 1100000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 4,2 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - 185°F)
Gwarancja producenta: 60
Pojemność dysku:
2 TB
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Gwarancja producenta:
60
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Format dysku:
M.2 2230
Typ dysku:
SSD
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
2000000 h
Prędkość odczytu (max):
7400 MB/s
Prędkość zapisu (max):
6500 MB/s
Technika zapisywania danych:
TLC
Odczyt losowy:
1035000 IOPS
Zapis losowy:
1100000 IOPS
Typ kości pamięci:
3D NAND
TBW (ang. Total Bytes Written):
3600.0