Dysk SSD HIKSEMI FUTURE eco 2TB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (4850/4450 MB/s) 3D TLC
Symbol:
HS-SSD-FUTURE Eco(STD)/2048G/PCIE4/WW
Program lojalnościowy dostępny jest tylko dla zalogowanych klientów.
Opinie | |
Wysyłka w ciągu | 48 godzin |
Cena przesyłki | 15 |
Dostępność | Średnia dostępność 48 szt. |
Waga | 0.15 kg |
Kod kreskowy | |
EAN | 6974202725303 |
Zamówienie tel.: 123858050, 603577613
Zostaw telefon
Pojemność dysku: 2 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 4850 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4450 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 3600.0
Odczyt losowy: 650000 IOPS
Zapis losowy: 580000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 2.5 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - 185°F)
Gwarancja producenta: 60
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 4850 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4450 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 3600.0
Odczyt losowy: 650000 IOPS
Zapis losowy: 580000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 2.5 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - 185°F)
Gwarancja producenta: 60
Pojemność dysku | 2 TB |
Kolor obudowy | Czarny (Black) |
Gwarancja producenta | 60 |
Interfejs | M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe |
Format dysku | M.2 2280 |
Typ dysku | SSD |
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 2000000 h |
Prędkość odczytu (max) | 4850 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 4450 MB/s |
Technika zapisywania danych | TLC |
Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
Odczyt losowy | 650000 IOPS |
Zapis losowy | 580000 IOPS |
Typ kości pamięci | 3D NAND |
TBW (ang. Total Bytes Written) | 3600.0 |