Dysk SSD HIKSEMI FUTURE eco 2TB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (4850/4450 MB/s) 3D TLC
Symbol:
HS-SSD-FUTURE Eco(STD)/2048G/PCIE4/WW
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 48 godzin |
| Cena przesyłki | 15,00 zł Brutto |
| Dostępność |
Średnia dostępność
|
| Waga | 0.15 kg |
| Kod kreskowy | |
| EAN | 6974202725303 |
Zamówienie tel.: 123858050, 603577613
Zostaw telefon
Pojemność dysku: 2 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 4850 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4450 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 3600.0
Odczyt losowy: 650000 IOPS
Zapis losowy: 580000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 2.5 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - 185°F)
Gwarancja producenta: 60
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 4850 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4450 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 3600.0
Odczyt losowy: 650000 IOPS
Zapis losowy: 580000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 2.5 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - 185°F)
Gwarancja producenta: 60
Pojemność dysku:
2 TB
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Gwarancja producenta:
60
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
2000000 h
Prędkość odczytu (max):
4850 MB/s
Prędkość zapisu (max):
4450 MB/s
Technika zapisywania danych:
TLC
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Odczyt losowy:
650000 IOPS
Zapis losowy:
580000 IOPS
Typ kości pamięci:
3D NAND
TBW (ang. Total Bytes Written):
3600.0
Dane producenta
Hangzhou Hikstorage Technology Co., Ltd
Building 2, 399 Danfeng Road, Binjiang District
310000 Hangzhou
China
salessupport@hiksemitech.com
Sklep internetowy na oprogramowaniu Sky-Shop.pl
