![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 125w)
Dysk SSD Samsung 870 EVO 250GB 2,5" SATA3 (560/530) V-NAND 3bit TLC
Symbol:
MZ-77E250B/EU
| Wpisz swój e-mail |
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 48 godzin |
| Cena przesyłki | 15 |
| Dostępność |
Brak towaru
|
| Waga | 0.15 kg |
| Kod kreskowy | |
| EAN | 8806090545931 |
Zostaw telefon
Pojemność dysku: 250 GB
Format dysku: 2,5 cala
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Cache: 512 MB
Interfejs: SATA III (6 Gb/s)
Typ złącza: 7-pin S-ATA
Prędkość odczytu (max): 560 MB/s
Prędkość zapisu (max): 530 MB/s
Odczyt losowy: 98000 IOPS
Zapis losowy: 88000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Storage memory: amsung V-NAND 3bit MLC, Dimension (WxHxD): 100 X 69.85 X 6.8 (mm), Weight: Apporx. 45.0g, Controller: Samsung MKX Controller, Cache Memory: Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM, Auto Garbage Collection Algorithm, AES 256-bit Encryption (Class 0),TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
Format dysku: 2,5 cala
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Cache: 512 MB
Interfejs: SATA III (6 Gb/s)
Typ złącza: 7-pin S-ATA
Prędkość odczytu (max): 560 MB/s
Prędkość zapisu (max): 530 MB/s
Odczyt losowy: 98000 IOPS
Zapis losowy: 88000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Storage memory: amsung V-NAND 3bit MLC, Dimension (WxHxD): 100 X 69.85 X 6.8 (mm), Weight: Apporx. 45.0g, Controller: Samsung MKX Controller, Cache Memory: Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM, Auto Garbage Collection Algorithm, AES 256-bit Encryption (Class 0),TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
Pojemność dysku:
250 GB
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Interfejs:
SATA III (6 Gb/s)
Format dysku:
2,5 cala
Typ dysku:
SSD
Cache:
512 MB
Typ złącza:
7-pin S-ATA
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Prędkość odczytu (max):
560 MB/s
Prędkość zapisu (max):
530 MB/s
Technika zapisywania danych:
TLC
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
98000 IOPS
Zapis losowy:
88000 IOPS
Typ kości pamięci:
V-NAND
Sklep internetowy na oprogramowaniu Sky-Shop.pl
